Испытание и исследование полупроводниковых приборов
03.08.2014, 22:26
Испытание и исследование полупроводниковых приборов - В книге изложены основные принципы и методы измерения полупроводниковых приборов, дана оценка погрешностей измерения параметров. Описаны методы измерения статических параметров, параметров двухполюсника и четырехполюсника с помощью малого сигнала, импульсных параметров, шумовых и тепловых параметров, параметров высокочастотных полупроводниковых приборов и др. Приведены особенности конструирования измерительного и испытательного оборудования.
Название: Испытание и исследование полупроводниковых приборов Автор: Аронов В. Л., Федотов Я. А. Издательство: Высшая школа Год: 1975 Страниц: 325 Формат: PDF Размер: 52,2 МБ Качество: Отличное Язык: Русский
Содержание:
Предисловие Введение Глава I Основные принципы и методы измерения электрических параметров полупроводниковых приборов § 1.1 Метод замещения § 1.2. Генератор тока я генератор напряжения в технике измерения полупроводниковых приборов § 1.3. Мостовые методы § 1.4. Методы измерения параметров, представляющих собой отрезки времени § 1.5. Методы, основанные на преобразования результатов измерения в цифровой код Глава II. Оценки погрешности измерения параметров полупроводниковых приборов § 2.1. Классификация погрешностей измерения § 2.2. Количественное представление погрешности измерения § 2.3. Суммирование частных погрешностей измерения § 2.4. Пример оценки погрешности измерительной установки Глаза III. Измерение статических параметров полупроводниковых приборов § 3.1. Статические характеристики § 3.2. Статические параметры диодов и транзисторов § 3.3. Измерения статических параметров диодов и транзисторов § 3 4. Измерение малых обратных токов § 3.5. Измерения статических характеристик полупроводниковых приборов с отрицательным сопротивлением и с «разрывными» характеристиками Глава IV. Измерение параметров эквивалентных двухполюсника в четырехполюсника с помощью малого сигнала § 4.1. Малосигнальные параметры полупроводниковых приборов на низких частотах § 4.2. Методы измерения параметров на низких частотах § 4.3. Измерение малосигнальных параметров полупроводниковых приборов на высоких частотах § 4.4. Измерение параметров на сверхвысоких частотах Глава V. Измерение параметров эквивалентных схем полупроводниковых приборов § 5.1. Измерение емкостей полупроводниковых приборов § 5.2. Измерение последовательных сопротивлений диодов § 5.3. Параметры эквивалентной схемы биполярного транзистора § 5.4. Измерение граничной частоты транзисторов § 5.5. Измерение базового сопротивления транзисторов § 5.6. Измерение индуктивностей выводов полупроводниковых приборов § 5.7. Измерение параметров эквивалентных схем полевых транзисторов § 5.8. Измерение параметров эквивалентной схемы туннельных диодов Глава VI. Измерение импульсных параметров полупроводниковых приборов § 6.1. Импульсные параметры полупроводниковых диодов § 6.2. Методы измерения импульсных параметров полупроводниковых диодов § 6.3. Импульсные параметры транзисторов § 6.4. Методы измерения импульсных параметров транзисторов § 6.5. Измерение импульсных параметров триодных тиристоров Глава VII. Исследования и измерение шумовых параметров полупроводниковых приборов § 7.1. Шумовые параметры двухполюсника и четырехполюсника § 7.2. Измерение шумовой температуры двухполюсника § 7.3. Измерение шумовых параметров четырехполюсников на низкой частоте § 7.4. Измерение коэффициента шума транзисторов на высоких и сверхвысоких частотах Глава VIII. Исследования и контроль тепловых характеристик полупроводниковых приборов § 8.1. Методы измерения электрических параметров в диапазоне температур § 8.2. Методы исследования температуры в активной области прибора § 8.3. Измерение теплового сопротивления § 8.4. Испытания на устойчивость полупроводниковых приборов к температурным воздействиям Глава IX. Измерение параметров генераторных высокочастотных полупроводниковых приборов § 9.1. Измерение отдаваемой мощности полупроводниковых приборов, работающих в схеме автогенератора § 9.2. Измерение отдаваемой мощности, коэффициента усиления и к. п. д. полупроводниковых приборов, работающих в схеме генератора с независимым возбуждением § 9.3 Измерение параметров структуры и эквивалентной схемы Глава X. Испытания полупроводниковых приборов на надежность § 10.1. Виды испытаний на надежность § 10.2. Основные понятия надежности § 10.3 Распределение отказов во времени. Количественные показатели надежности § 10.4. Обработка результатов испытаний. Понятие о доверительной интервале § 10.5. Оценка качества продукции на соответствие нормам технических условий. Определение объема выборки § 10.6. Классификация отказов. Роль критериев годности в оценке результатов § 10.7. Цели и задачи испытаний Глава XI. Особенности конструирования измерительного и испытательного оборудования для полупроводниковых приборов § 11.1. Контактодержатель для подключения полупроводниковых приборов к измерительной схеме § 11.2. Защита полупроводниковых приборов от случайных перегрузок § 11.3. Методы подавления паразитной генерации испытуемого прибора в схеме измерения § 11.4. Основные принципы компоновки измерительных установок Литература
Скачать Испытание и исследование полупроводниковых приборов
Уважаемый Гость! Если ссылка на материал битая, просим вас сообщить нам кликнув по ссылке ниже, и написав жалобу, что сссылка битая!Жаловаться на материал
Все файлы и ссылки на файлы, выложенные на сайте, были найдены в сети интернет как свободно распространяемые и предоставлены лишь для ознакомления с ними, последующим удалением с вашего компьютера и покупкой (при необходимости) у авторов продукции. Если вы являетесь правообладателем какого либо контента и не желаете его свободного распространения, сообщите нам и нарушение будет устранено. Обратная связь
Привет: Гость
Всего: 247 
Новых за месяц: 0 
Администраторов: 1 
Модераторов: 1
Журналисты: 35
Проверенных: 1 
Обычных юзеров: 205 
Девушек: 38 
