Физические основы полупроводниковой электроники — В книге подытожены результаты фундаментальных и прикладных исследований, выполненных за последние 10—15 лет в Институте полупроводников АН УССР. Все обзоры книги объединены вокруг одной из важнейших проблем современной физики твердого тела — взаимодействия электромагнитного излучения с полупроводниками в диапазоне частот от сантиметрового до рентгеновского излучения. Фундаментальные теоретические и экспериментальные исследования, многие из которых положили начало новым направлениям в оптике, фотоэлектронике, физике поверхности, радиоспектроскопии полупроводников и др., находят естественное продолжение в материаловедении, оптоэлектронике, метрологии и в других прикладных областях. Для специалистов-физиков, инженерно-технических работников, а также преподавателей и студентов вузов физических специальностей.
Название: Физические основы полупроводниковой электроники Редактор: Снитко О. В. Издательство: Наукова думка Год: 1985 Страниц: 302 Формат: DJVU Размер: 11,9 МБ Качество: Отличное Язык: Русский
Содержание:
Глава 1. Теоретическое предсказание и экспериментальное обнаружение добавочных световых волн в кристаллах (С. И. Пекар) Глава 2. Некоторые современные аспекты теории горячих электронов (Ф. Т. Васько, 3. С. Грибников, И. М. Дыкман) Глава 3. Явления, связанные с биполярным дрейфом носителей в полупроводниках (И. И. Бойко, 3. С. Грибников) Глава 4. Колебательные резонансы и нелинейная оптическая активность кристаллов (М. П. Лисица) Глава 5. Эффект неравновесного обеднения и его релаксация при сильных электрических полях (О. В. Снитко, В. Е. Примаченко, С. И. Кириллова, В. В. Миленин) Глава 6. Структура и динамика атомарно-чистой поверхности (Б. А. Нестеренко) Глава 7. Релаксация внутренних напряжений в гетероэпитаксиальных системах (Ю. А. Тхорик, Л. С. Хазан) Глава 8. Исследования кремния методом электронного парамагнитного резонанса (А. А. Бугай) Глава 9. Неравновесные процессы в широкозонных полупроводниках (М. К. Шейнкман) Глава 10. Физические свойства соединений A<sup>2</sup>B<sup>6</sup> в экстремальных условиях (Е. А. Сальков) Глава 11. Разработка и исследование фотоэлектрических полупроводниковых приборов на основе соединений A<sup>2</sup>B<sup>6</sup> (В. Н. Комащенко, Г. А. Федорус, В. Д. Фурсенко, М. К. Шейнкман) Глава 12. Поперечные фотовольтаические эффекты в полупроводниках с анизотропной электропроводностью (И. П. Жадько, В. А. Романов) Глава 13. Теоретические и экспериментальные исследования явлений переноса в многодолинных полупроводниках в экстремальных условиях (П. И. Баранский) Глава 14. Рентгенодифракционные исследования структурного совершенства полупроводниковых материалов (Л. И. Даценко) Глава 15. Исследования в области химии полупроводников (И. Б. Мизецкая) Глава 16. Эффект фотографической чувствительности системы тонких слоев полупроводника и металла, или стимулированная излучением диффузия (М. Т. Костышин) Глава 17. Полупроводники в криогенной термометрии (Л. И. Зарубин) Глава 18. Физико-технологические аспекты устройств для записи оптической информации на основе структур фотопроводник A<sup>2</sup>B<sup>6</sup> - регистрирующая среда (С. В. Свечников, Э. Б. Каганович, Ю. Н. Максименко) Глава 19. Поляритонные и коллективные явления на границах раздела полярных полупроводников (В. Г. Литовченко, Н. Л. Дмитрук, Д. В. Корбутяк) Глава 20. Магнитоконцентрационные явления в плазме полупроводников (В. К. Малютенко) Глава 21. Функции оптоэлектронных многополюсников в электронных цепях (П. Ф. Олексенко) Глава 22. Состояние разработок и перспективы развития оптоэлектронных функциональных преобразователей (А. К. Смовж) Глава 23. Тонкопленочные электролюминесцентные излучатели (Н. А. Власенко)
Уважаемый Гость! Если ссылка на материал битая, просим вас сообщить нам кликнув по ссылке ниже, и написав жалобу, что сссылка битая!Жаловаться на материал
Все файлы и ссылки на файлы, выложенные на сайте, были найдены в сети интернет как свободно распространяемые и предоставлены лишь для ознакомления с ними, последующим удалением с вашего компьютера и покупкой (при необходимости) у авторов продукции. Если вы являетесь правообладателем какого либо контента и не желаете его свободного распространения, сообщите нам и нарушение будет устранено. Обратная связь
Привет: Гость
Всего: 247 
Новых за месяц: 0 
Администраторов: 1 
Модераторов: 1
Журналисты: 35
Проверенных: 1 
Обычных юзеров: 205 
Девушек: 38 
